Lớp giao diện mỏng 0,42 nanomet: Bước tiến đưa transistor vượt qua giới hạn của silic
Các nhà nghiên cứu tại Đại học Dương Minh Giao Thông (NYCU) và bộ phận Nghiên cứu Doanh nghiệp của TSMC (Đài Loan) đã chế tạo một transistor với lớp giao diện epitaxy chỉ dày 0,42 nanomet - một trong những lớp giao diện mỏng nhất từng đạt được. Bước đột phá, công bố trên tạp chí Nature Electronics,......
Liên hệ
Tiếng Việt
Tiếng Anh











