Nhan đề chính: Defects in Self-Catalysed III-V Nanowires
Nhan đề dịch: Khiếm khuyết trong dây nano III-V tự xúc tác
Tác giả: James A. Gott
Nhà xuất bản: Springer Cham
Năm xuất bản: 2022
Số trang: 157 tr.
Ngôn ngữ: Tiếng Anh
ISBN: 978-3-030-94064-5
SpringerLink
         Lời giới thiệu: Cuốn sách này trình bày những nghiên cứu chuyên sâu về những khiếm khuyết có thể tìm thấy trong các dây nano bán dẫn III-V tự xúc tác. Bằng cách sử dụng các kỹ thuật kính hiển vi điện tử tiên tiến để phân tích độ sắc nét và khiếm khuyết của giao diện ở quy mô nguyên tử và vĩ mô. Người ta nhận thấy rằng có nhiều loại với số lượng lớn các cấu trúc khiếm khuyết có thể tồn tại trong các hệ thống dây nano, và trên thực tế chúng có thể chứa một số cấu hình khiếm khuyết chưa từng thấy trước đây. Để thăm dò xem những khuyết tật này được hình thành như thế nào, các điều kiện trong quá trình phát triển dây nano có thể được mô phỏng bên trong kính hiển vi bằng cách sử dụng bộ giữ nhiệt tại chỗ thế hệ mới nhất. Điều này cho phép kiểm tra sự hình thành, động lực và loại bỏ khiếm khuyết, chứng minh được rằng trên thực tế, nhiều khuyết tật có thể được loại bỏ. Thông tin này rất quan trọng để đạt được sự phát triển dây nano hoàn hảo. Tác giả trình bày các phương pháp xử lý nhiệt để cải thiện chất lượng tinh thể, từ đó cải thiện hiệu suất thiết bị.
         Từ khóa: Dây nano, chất bán dẫn, cấu trúc dị thể
Nội dung cuốn sách gồm những phần sau:
- Giới thiệu
- Phương pháp
- Khiếm khuyết trong dây nano
- Khiếm khuyết động lực học trong dây nano
- Các giao diện trong cấu trúc dị thể trục dây nano
- Kết luận và sản phẩm tương lai